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HBM,迎来新进展!

HBM,迎来新进展!

9月前

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来源:内容由半导体行业观察(ID:icbank)综合自网络,谢谢。


SK海力士的新HBM3E芯片可能是Nvidia的一个不错的选择。


图片来源:SK海力士


三星将在即将召开的国际固态电路会议 (ISSCC) 上展示众多新产品,包括超高速 DDR5 内存芯片、280 层 QLC NAND 闪存以及全球最快的GDDR7。 


不过,虽然三星肯定会吸引很多关注,但这并不是唯一的游戏,因为在三星在高端展会上谈论完其 3D-NAND 闪存后,其韩国竞争对手 SK海力士也将立即发布其新的 HBM3E DRAM。


HBM3E(第三代扩展高带宽内存)是一项突破性的内存技术,在性能和能效方面实现了显着飞跃,旨在满足高性能计算、人工智能和图形应用不断增长的需求。


01

英伟达的选择?


HBM3E是第五代HBM,垂直互连多个DRAM芯片,显着提高数据处理速度、容量和散热。


据SK海力士称,其新型存储芯片每秒可处理高达1.15TB的数据,相当于每秒处理超过230部每部5GB的全高清电影。由于采用了尖端的高级回流成型底部填充技术(或 MR-MUF),它的散热性能也提高了 10%。


SK Hynix 将其 HBM3E 视为 AI 技术创新背后的驱动力,但它也可以为Nvidia有史以来最强大的 GPU - B100 Blackwell AI GPU 提供动力。美光表示,要到 2025 年才会发布下一代高带宽内存单元 HBM4。这导致人们猜测Nvidia 可能会寻找 B100 Blackwell 的替代供应商。


尽管三星凭借其新的“Shinebolt”HBM3E 内存被认为是最有可能的竞争者,但 SK海力士已做好准备,推出其新产品。


目前还没有官方消息,但可能用不了多久我们就能知道英伟达选择了哪家韩国公司。


02

SK Hynix 将于 2024 年推出HBM4


HBM 内存即将发生重大变化。


图片来源:AMD


HBM3E内存在 1024 位接口上具有高达 9.6 GT/s(9.6 GB 传输,或每秒数十亿次传输,内存带宽的典型测量)数据传输速率,刚刚进入量产阶段。但人工智能(AI)和高性能计算(HPC)行业的需求正在快速增长,因此 具有2048位接口的HBM4内存 距离问世只有大约两年的时间。据报道,SK 海力士的一位副总裁最近表示,该公司有望在 2026 年大规模生产 HBM4 。


SK海力士副总裁Chun-hwan Kim在SEMICON韩国2024上表示:“随着AI计算时代的到来,生成式AI正在迅速发展。生成式AI市场预计将以每年35%的速度增长%。” 

生成式人工智能市场的快速增长需要更高性能的处理器,这反过来又需要更高的内存带宽。因此,需要 HBM4 来从根本上提高 DRAM 吞吐量。SK 海力士希望在 2026 年开始生产下一代 HBM,这意味着 2025 年底。这在一定程度上证实了美光计划在 2026 年初推出 HBM4。 


凭借 9.6 GT/s 的数据传输速率,单个 HBM3E 内存堆栈可提供 1.2 TB/s 的理论峰值带宽,对于由六个堆栈组成的内存子系统来说,带宽可高达 7.2 TB/s。然而,该带宽是理论上的。例如,Nvidia 的 H200“仅”提供高达 4.8 TB/s 的 H200,可能是出于可靠性和功耗方面的考虑。

据美光称,HBM4 将使用 2048 位接口将每个堆栈的理论峰值内存带宽提高到 1.5 TB/s 以上。为了实现这一目标,HBM4 需要具有约 6 GT/s 的数据传输速率,这将有助于控制下一代 DRAM 的功耗。同时,2048 位内存接口需要在内插器上进行非常复杂的布线,或者仅将 HBM4 堆栈放置在芯片顶部。在这两种情况下,HBM4 都会比 HBM3 和 HBM3E 更昂贵。


三星似乎也认同 SK 海力士对 HBM4 的看法,三星表示有望在 2026 年生产 HBM4。有趣的是,三星还在为特定客户开发定制 HBM 内存解决方案。


三星内存执行副总裁 Jaejune Kim 在与分析师和投资者举行的最新财报电话会议上(来自SeekingAlpha )表示:“HBM4正在开发中,预计 2025 年提供样品,2026 年实现量产。” “在生成式 AI 的推动下,对定制 HBM 的需求不断增长,因此我们不仅开发标准产品,而且还通过添加逻辑芯片为每个客户开发性能优化的定制 HBM。详细规格正在与关键产品讨论顾客。”



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