下一代光刻机，ASML充满信心

8月前

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ASML 和 Imec 在 Veldhoven 的联合高数值孔径实验室即将向芯片制造商敞开大门，开启高数值孔径开发的下一阶段：准备好工艺技术和相关基础设施。

芯片制造商很快就能尝试高数值孔径 EUV 光刻技术。ASML 高数值孔径产品开发主管 Greet Storms 周五告诉记者，随着世界上第一个功能齐全的高数值孔径工具的组装接近完成，位于 Veldhoven 的高数值孔径实验室将在第一季度准备好接待客户。

Storms 表示，从之前的光刻转型中吸取的教训是，一旦第一个新一代工具可用，就提供访问权限。EXE:5000 预生产系统一完成就在 Veldhoven 投入使用，而不是将其运送到位于鲁汶的长期合作伙伴 Imec（通常是第一个接收下一代光刻设备的地方），从而节省了宝贵的时间。总而言之，该策略将节省大约一年的时间。

High-NA 实验室由 ASML 和 Imec 联合运营。其部分功能将作为共享学习设施，用于开发高数值孔径工艺技术（根据 Imec 的常用公式），部分功能将允许 ASML 的客户私人访问该工具。除了曝光和开发晶圆的能力之外，现场还提供各种计量工具。对于更复杂的实验，可以将晶圆发送到总部或附近的 Imec 进行进一步处理和测量。

绝密

尽管高数值孔径工具（有史以来最复杂的机械部件）的完成标志着继续扩展芯片功能的重要一步，但在该技术准备好进入黄金时期之前，仍然存在一些障碍。抗蚀剂、掩模版和计量工具需要不断发展，才能以比以往更小的细节创建清晰的印刷品。

一个关键的挑战是控制缺陷和线边缘粗糙度，这是由于光子撞击晶圆的方式的统计波动而导致的。随着芯片结构变得越来越小，控制这种所谓的随机效应变得越来越困难。

此外，增加数值孔径 (NA)（高数值孔径从 0.33 增加到 0.55）会降低可用景深，这意味着投影特征在比芯片制造商习惯的更小的“频带”中处于可接受的锐聚焦状态到。这就需要使用更薄的抗蚀剂层，从而捕获更少的光子，从而加剧随机效应。

在使用低数值孔径 EUV 工具进行模拟和近似实验后，高数值孔径实验室提供了第一个开始解决现实生活中的这一问题和其他关键问题的机会。芯片制造商也将很高兴能够在制定他们的绝密高数值孔径芯片制造配方方面取得先机。

图片来源：ASML

信心

在展示高 NA 快速推出的另一项举措中，ASML 最近开始向英特尔运送 EXE:5000 系统，因此甚至在第一个原型完全启动并运行之前。这种方法是通过彻底的模块化设计实现的，该设计允许将所有八个模块组合在一起形成总线大小的工具，以便进行全面的测试和隔离验证。在参观其高数值孔径制造工厂时，ASML 向记者展示了几个这样的模块，这些模块正在为今年晚些时候或明年的额外发货做准备。

与最近媒体的猜测相反，ASML 今年不会推出十种高 NA 工具。一位发言人表示，到 2024 年，这将是“一些”，理解是不是少数。到目前为止，这家设备制造商已获得两位数的订单，每个逻辑和内存制造商中至少有一个系统已经使用 EUV，再加上日本雄心勃勃的领先代工厂 Rapidus。

将高数值孔径插入大规模生产存在一些不确定性。尽管英特尔正在全力推进，但据报道台积电和三星可能会采取更加谨慎的态度。ASML 否认了这种冷淡的反应，称高 NA “显然是最具成本效益的解决方案”。Greet Storms 表示，该行业将在 2026/2027 年时间内大规模采用。

ASML 最近拆除了总部的办公空间，为更多的高数值孔径制造设施腾出空间，这突显了其信心。该公司计划到 2028 年每年出货 20 个高数值孔径工具。

原文链接

https://bits-chips.nl/artikel/asmls-first-high-na-tool-is-almost-ready-for-action/

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