中国功率半导体，成果显著！

5月前

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来源：内容由半导体行业观察（ID：icbank）转自【芯思想】，作者：赵元闯，谢谢。

2024年6月2-6日，第36届国际功率半导体器件和集成电路会议（International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs，ISPSD）在德国不来梅成功举办。作为IEEE旗下的功率半导体旗舰会议，ISPSD涵盖了功率半导体器件和功率集成电路的设计、工艺、封装和应用等方向，是功率器件领域最具影响力和规模最大的国际学术会议，被认为是该领域的奥林匹克会议，三十多年以来一直都是国际产业界和学术界争相发表重要成果的舞台。

本届会议共收到论文331篇，Late news论文7篇；经过技术委员会的遴选，共录用论文141篇（接受率42.6%），其中大会口头报告(oral)42篇（接受率仅12%），海报论文(posters)99篇。ISPSD大会一直保持单一会场的传统，不设分会场。

中国成果显著

中国是本次大会入选论文数量最多的国家，共入选78篇论文（中国内地68篇，中国香港4篇，中国台湾6篇）。在学术界，电子科技大学以15篇高居榜首，浙江大学和东南大学以9篇并列第二，北京大学、中国科技大学各有6篇，并列第四。大会口头报告共42篇，中国入选23篇（中国内地20篇，中国香港1篇，中国台湾2篇），浙江大学以5篇和东芝并列全球第一；北京大学和电子科技大学以3篇并列全球第三。这些成绩展示了中国在功率半导体领域的快速发展。

ISPSD从1988年举办至今，共录用常规论文（包括口头报告和海报论文，不计算Plenary报告）3201篇，中国共入选463篇论文（中国内地326篇，中国澳门1篇，中国香港78篇，中国台湾58篇），占全球入选总数的14.5%。特别是近10年中国共入选374篇论文，其中中国大陆入选279篇。

中国在功率半导体领域的快速发展离不开国内所有专家学者的努力，如电子科技大学张波教授团队、东南大学孙伟锋教授团队、香港科技大学陈敬教授团队、浙江大学盛况教授团队，以及北京大学、中国科技大学、西安电子科技大学、南京大学、中科院微电子所、复旦大学等高校和科研院所，这些机构、团队和专家学者在逐步提高我国在国际功率半导体领域的声誉和影响力的过程中均扮演了重要的作用。

ISPSD名人堂

为了表彰在功率半导体领域做出杰出贡献的研究者，ISPSD会议从2018年开始设立名人堂（Hall of Fame），除首届名人堂以外，每年仅有2～3名入选者。此次会议中，浙江大学电气工程学院院长盛况教授因在碳化硅功率器件方向的学术成就以及在ISPSD会议组织方面的贡献入选ISPSD名人堂（Hall of Fame），成为继陈星弼院士后第二位获此殊荣的中国内地学者。入选ISPSD名人堂的华人学者包括：电子科技大学陈星弼教授(2018年)、伦斯勒理工学院周达成教授Tat-Sing Paul Chow(2018年)；香港科技大学单建安教授Johnny Kin On Sin(2020年)、伊利诺伊理工学院沈征教授Zheng John Shen(2023年)。

2018年第30界ISPSD会议，陈星弼院士因发明复合缓冲耐压结构（现称为超级结，super-junction）这一颠覆性技术入选IEEE ISPSD首届名人堂，成为中国首位入选名人堂的华人科学家。陈院士在超级结器件方向取得的卓越成就，为功率半导体技术的进步和产业发展产生了重要的影响。2024年ISPSD会议上，盛况教授作为中国内地华人科学家入选，表明中国功率半导体器件行业的成果得到了国际学术界和产业界同行的认可，这不仅是对中国所有功率半导体领域专家学者和产业界已有工作的肯定，更激励着国内的年轻一代的研究者们在未来继续前行，为全球功率半导体技术的发展做出更多更大的贡献。

中国产业界正在成长