瑞萨电子宣布收购Transphorm，拓展氮化镓版图

1月11日，瑞萨电子宣布与全球氮化镓（GaN）功率半导体供应商Transphorm达成最终协议。根据协议，瑞萨子公司将以每股5.10美元现金收购Transphorm所有已发行普通股，该公司估值约为3.39亿美元。

Transphorm核心业务是GaN制造以及高压功率转换应用设计。据Transphorm公司介绍，其电力电子技术的创新实现了“99%的效率提升、50%功率密度的提升并降低了20%的系统成本” 。

SiC和GaN等宽禁带半导体材料相较于传统硅基器件具备更广泛的电压和开关频率范围，其需求量也在逐年增长，有机构预测GaN的需求每年将增长50%以上。早在去年3月，另一家生产IGBT与其他功率器件的半导体企业英飞凌斥资8.3亿美元收购了GaN System（氮化镓系统）公司，以构建包含硅、SiC和GaN三种主要功率半导体技术的业务版图。

2023年7月5日，瑞萨电子与SiC材料企业Wolfspeed签订了价值20亿美元、为期10年的SiC晶圆裸片和外延衬底的供应协议。而此次对Transphorm的收购则是在瑞萨电子的宽禁带半导体版图中对GaN进行补强。瑞萨电子表示，此次收购将为自身提供GaN的内部技术，从而扩展其在电动汽车、计算（数据中心、人工智能、基础设施）、可再生能源、工业电源以及快速充电器、适配器等快速增长市场的业务范围。

瑞萨电子首席执行官柴田英利表示：“（Transphorm的GaN技术）将推动和扩大作为我们关键增长支柱之一的功率产品阵容，使我们的客户能够选择最佳的电源解决方案。”

据悉，Transphorm公司总部位于加利福尼亚，并在日本会津设有工厂，这将给瑞萨电子带来一定地理优势。该交易预计于2024年下半年完成，但需获Transphorm股东批准和监管部门许可，并满足其他惯例成交条件。

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