三星正在试产第二代3nm

11月前

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来源：内容由半导体行业观察（ID：icbank）编译自tomshardware，谢谢。

据Chosun援引未具名的行业消息人士报道，三星代工厂已开始采用其二代 3 纳米级工艺技术（称为 SF3）试生产芯片。据报道，该公司的目标是在未来六个月内实现超过 60% 的良率。这些信息应该持保留态度，因为它来自非官方来源。与此同时，SF3 的生产开始对于三星和整个行业来说都是一件大事。

据报道，三星正在测试其 SF3 节点上制造的芯片的性能和可靠性。与此同时，据报道，三星计划使用 SF3 的第一个产品是可穿戴设备应用处理器，该处理器将用于该公司即将推出的 Galaxy Watch 7。此外，该公司预计还将将该生产节点用于其 Exynos 2500 系统——明年推出的 Galaxy S25 系列智能手机的片上技术。

三星相信，其 SF3 制造将通过在同一单元类型内实现不同的环栅 (GAA) 晶体管纳米片通道宽度来提供更大的设计灵活性。这使得它能够为需要它的电路实现更低的功耗和更高的性能，并通过优化设计来增加晶体管密度。与此同时，据报道，三星的第一代 SF3 仅用于微型加密货币挖矿芯片。

三星于 2023 年 11 月发布的官方立场是，该公司将于 2024 年下半年开始在其 SF3（第二代 3 纳米级）生产节点上进行芯片的大批量制造 (HVM)。SF3应该已经开始试生产，这证实了该报道。

与此同时，该报告提到了所谓的假设测试芯片 60% 的良率目标，但没有透露其他目标，例如晶体管数量、芯片尺寸、性能（即时钟）、功耗（即泄漏）及其特性（例如单元库）（例如，高性能、高密度等）以及 SRAM 与逻辑的比率等等。

通常，公司会争取缺陷密度（缺陷会杀死电路并使芯片无法销售）和性能可变性（未达到性能或功率目标的芯片也无法销售）。

与此同时，智能手表微型应用处理器、智能手机不错的 SoC 以及面向数据中心的处理器的芯片尺寸、性能和功耗目标完全不同。如果小芯片的良率是60%，则意味着工艺技术的缺陷密度太高，对于现代工艺技术来说，在商业上是不可接受的。同时，如果掩模版尺寸（858mm^2）的芯片良率达到60％，这可能被认为是合理的，但可能需要设计或工艺技术调整。通常，代工厂和芯片设计人员都会对两者进行调整以提高产量。

由于三星代工厂的 SF3 产量目标存在诸多不确定性，因此对整个报告持保留态度。同时，SF已经开始使用SF3进行风险生产，这一事实基本上得到了三星自己的证实。

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