存储芯片双雄，争霸DRAM

三星电子和SK海力士计划在今年上半年量产GDDR7 DRAM，这是用于显卡的下一代DRAM。GDDR7 DRAM主要用于图形处理单元（GPU）——人工智能（AI）时代的核心——预计将继高带宽内存（HBM）之后继续韩国在半导体行业的主导地位。

据业内人士 1 月 30 日透露，三星电子将于 2017 年在加利福尼亚州旧金山举行的电气和电子工程师协会 (IEEE) 国际固态电路会议 (ISSCC) 上展示其 16 Gb、37 Gbps GDDR7 DRAM。2 月 20 日美国。三星的演示因其速度比该公司去年 7 月首次开发和发布的 32 Gbps GDDR7 DRAM 更快、成为全球最快的速度而受到关注。这种速度的提高归功于脉冲幅度调制（PAM3）信号技术的应用，与之前的不归零（NRZ）方法相比，该技术在同一信号周期内传输的数据量增加了1.5倍。三星电子计划在本次会议上重点关注PAM3。

IT专业媒体TechRadar提到，“GDDR7 DRAM预计将搭载在Nvidia和AMD的下一代GPU中，并在今年年底推出。” 这一速度与其美国竞争对手美光公司相当。DRAM产业目前由三星电子、SK海力士和美光三巨头垄断。

SK 海力士还准备在同一会议上介绍他们的 16 Gb、35.4 Gb/s GDDR7 内存。与三星一样，SK海力士也通过应用PAM3信号方法提高了数据处理速度，并计划在今年上半年开始量产。与去年三星透露其开发情况不同，SK海力士将在本次大会上首次展示其开发状况。

GDDR是专门为显卡设计的DRAM。标准双倍数据速率 (DDR) RAM 由 PC 中央处理单元 (CPU) 内的 DDR 内存控制器处理，而 GDDR 由显卡的 GPU 处理。这种图形内存不仅在工作站、PC、笔记本电脑和游戏机等高图形性能应用中受到关注，而且在需要高速、大容量数据处理的应用中也受到关注，如自动驾驶、深度学习、虚拟现实、和虚拟宇宙。在人工智能时代，GPU供应短缺凸显了GDDR DRAM和HBM作为半导体内存行业盈利部分的重要性。

GDDR7 DRAM 是尚未标准化的下一代产品。DDR代表了当前DRAM的标准技术规范，代号越高表示运行速度越高。韩国企业已在市场上确立了主导地位，预计通过率先推出 GDDR7 DRAM，进一步提高其内存盈利能力。

行业预测表明，三星电子将通过大量设备投资显着扩大其高带宽内存（HBM）生产能力。这加剧了与SK海力士的行业领先地位竞争，SK海力士将于今年上半年开始量产其第五代HBM3E产品。

截至1月23日，预计SK海力士去年最后一个季度来自HBM的销售额超过1万亿韩元，这是历史上的首次。去年HBM市场规模达到40亿美元左右，SK海力士以20%的市场份额巩固了领先地位。

此外，SK海力士计划于今年上半年开始量产下一代HBM3E，巩固其在全球半导体元件市场高附加值产品线中的领导地位。今年早些时候，在美国拉斯维加斯举行的 CES 2024 上，SK 海力士总裁 Kwak No-jung 表达了对该公司业务的信心，并表示：“SK 海力士是 HBM 市场明显的领导者。”

另一方面，三星电子从去年第四季度开始扩大第四代HBM3供应，目前正进入一个过渡期，相关销售额开始显着反映在其业绩中。不过，三星电子预计将着手大规模的设备投资，以提升其整体产品生产能力，以加速其追赶。

预计两家公司之间的关键战场将是 HBM3E。HBM3E预计将安装在英伟达明年下半年销售的下一代AI芯片中，三星电子和SK海力士预计将为此展开激烈的供应订单竞争。

SK海力士自2013年开始与Nvidia合作开发HBM，积累了十年的生产技术，在定价方面也被视为具有竞争优势。SK海力士于去年8月成功开发了HBM3E，目前正在通过向包括Nvidia在内的主要客户提供样品进行性能验证程序。

三星电子仍有扭亏为盈的机会。该公司计划到今年第四季度将 HBM最大产量提高到每月 150,000 至 170,000 件。

此外，三星电子继续积极投资。三星电子美国DS部门副总裁Han Jin-man近日对记者表示：“今年我们的HBM CAPEX增加了2.5倍以上，尽管内存制造商的投资能力面临挑战，但三星预计明年保持这个水平。”

今天是《半导体行业观察》为您分享的第3662期内容，欢迎关注。

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