存储双雄：HBM产能均售罄，价格坚挺
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全球两大存储芯片制造商三星电子和 SK 海力士预测，由于对人工智能至关重要的高性能芯片的需求不断增长，今年 DRAM 和高带宽内存 (HBM) 的价格将保持坚挺。
为了满足需求，他们将超过 20% 的 DRAM 生产线转换为 HBM 生产线。
两家公司在 5 月 9 日至 10 日三星证券主办的投资者关系会议上表示，DRAM 产量将根据需求减少。在IR活动期间，这两家韩国芯片制造商受到了有关积压订单问题的轰炸。据业内人士透露，与会者特别希望确认 SK 海力士最近关于其 HBM 供应订单的言论。
上周，SK海力士首席执行官Kwak Noh-jung在新闻发布会上表示，从产量来看，其HBM芯片今年已经售罄，2025年也几乎售罄。SK 的一位官员告诉机构投资者，该公司每年通过具有约束力的合同提供 HBM 芯片。合同规定了供应量、付款方式和期限。
“根据截至今年年底的产能，我们明年计划的所有生产都已经预订完毕，”他说。
八层 HBM3E 占其主要客户 Nvidia 订单的大部分。
“HBM3 价格下跌将被 HBM3E 价格上涨所抵消。因此，我们将能够将利润率维持在当前水平。”他说。
三星电子表示，其 HBM 产品也已售罄。三星电子 IR 官员表示：“考虑到供需状况，HBM 到 2025 年不会出现供应过剩的情况。”三星官方表示，该公司在8层HBM3E芯片上缩小了与SK海力士的差距，同时在12层HBM3E市场上处于领先地位。
三星计划最早在第二季度开始生产 12 层 HBM3E 芯片。
HBM3E是第五代高性能、大容量芯片，或者说是HBM3芯片的扩展版本。关于HBM4，三星将于明年开发第六代HBM，并于2026年量产。
从 HBM4 开始，三星将采用混合键合，直接用铜连接 DRAM 的顶部和底部。
两家公司还对传统 DRAM 和固态硬盘（计算机中的一种存储设备）给出了乐观的价格前景。“我认为今年 DRAM 价格不会下跌，”该三星官员表示。“SSD需求的增加是长期趋势，而不是短期趋势。”
SK 海力士和三星将受益于 HBM 销售的爆炸性增长
高带宽内存 (HBM) 是人工智能设备必不可少的炙手可热的 DRAM 产品，其销量将在未来几年大幅增长，使 SK 海力士公司和三星电子公司等市场领导者受益。
台湾市场研究机构 TrendForce 表示，在大幅定价溢价和人工智能芯片产能需求增加的推动下，HBM 市场有望实现强劲增长。
HBM 的单位销售价格是传统 DRAM 的数倍，是双倍数据速率 5 或 DDR5 芯片的约五倍。该定价加上新的人工智能产品的推出，预计到 2025 年将大幅提高 HBM 在 DRAM 市场容量和市场价值中的份额。
TrendForce 高级研究副总裁 Avril Wu 在一份研究报告中表示：“HBM 在 DRAM 位容量中的份额预计将从 2023 年的 2% 上升到 2024 年的 5%，到 2025 年将超过 10%。”她表示，就市场价值而言，从 2024 年开始，HBM 预计将占 DRAM 市场总量的 20% 以上，到 2025 年可能会超过 30%。
去年，HBM占整个DRAM市场价值的8%。Wu 表示，2025 年 HBM 定价谈判已在本季度开始。
不过，由于整体 DRAM 产能有限，供应商初步将价格提高了 5-10%，以应对产能限制，影响了 HBM2E、HBM3 和 HBM3E 等 AI 芯片。据集邦咨询称，这一早期谈判阶段是由三个主要因素造成的。
首先，HBM买家对AI需求前景保持高度信心，愿意接受价格持续上涨。
其次，目前采用硅通孔（TSV）工艺制造的HBM3E芯片的良率仅在40%至60%之间，还有提升的空间。
此外，吴表示，并非所有主要供应商都通过了HBM3E的客户资格，导致买家接受更高的价格，以确保稳定和优质的供应。
第三，未来每千兆位 (Gb) 的定价可能会根据 DRAM 供应商的可靠性和供应能力而有所不同，这可能会造成平均销售价格的差异，从而影响 HBM 制造商的盈利能力，她说。
TrendForce表示，展望2025年，从主要AI解决方案提供商的角度来看，HBM规范要求将向HBM3E发生重大转变，预计12层堆栈产品将有所增加。它补充说，这种转变预计将提高每个芯片的 HBM 容量。
市场研究人员表示，2024年HBM年需求增长率将接近200%，预计2025年将翻一番。
分析师表示，HBM 需求的强劲增长将导致 SK 海力士和三星等顶级 HBM 厂商的销售额增加并提高盈利能力。
SK 海力士首席执行官 Kwak Noh-jung 上周表示，其 HBM 芯片的生产能力到明年几乎已被预订满。他表示，为了巩固SK的HBM市场领导地位，该公司计划于5月向客户提供下一代12层HBM3E芯片样品，并提前于第三季度开始量产。
三星内存业务副总裁 Kim Jae-june 于 4 月下旬表示，该公司已开始批量生产用于生成 AI 芯片组的 HBM 芯片，称为 8 层 HBM3E，并将从 2019 年末开始看到该芯片的销售收入。第二季度。这位三星高管还表示，计划最早在第二季度开始生产第五代 12 层版本。
在存储芯片制造商中，SK 海力士是人工智能采用爆炸性增长的最大受益者，因为它在 HBM 的生产中占据主导地位，而 HBM 对生成式人工智能计算至关重要，并且是英伟达公司的最大人工智能芯片供应商，英伟达控制着 80% 的人工智能芯片 芯片市场。
三星誓言今年将 HBM 产量提高两倍，并渴望通过 Nvidia 目前正在进行的质量测试。
HBM3E 预计将为 Nvidia 的新型 AI 芯片（如 B100 和 GB200）以及 AMD 的 MI350 和 MI375 提供动力，这些芯片将于今年晚些时候推出。
原文链接
https://www.kedglobal.com/korean-chipmakers/newsView/ked202405130013
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