通威THC、TNC组件双双刷新世界纪录;Arm发布基于3nm芯片工艺的新CPU、GPU IP丨智能制造日报
1.【湘潭电化:已与固态电池行业厂商联合研发,尚未形成销售收入】湘潭电化接待机构调研时表示,今年一季度公司锰酸锂业务毛利率已转正,随着碳酸锂价格的稳定,锰酸锂业务的盈利能力也在企稳回升。公司锰酸锂产品目前主要应用于3C数码、电动两轮车、电动工具等领域,公司正在进行技术突破,与下游以及行业相关企业联合开发,力争进一步打开锰酸锂应用场景。固态电池方面,公司已与固态电池行业的优秀厂商对接并正在联合研发,目前尚未形成销售收入。
2.【Arm发布基于3nm芯片工艺的新CPU、GPU IP】5月30日消息,芯片设计公司Arm今日发布了针对旗舰智能手机的新一代CPU和GPU IP(设计方案):Cortex-X925 CPU、Immortalis G925 GPU。新产品均使用了其最新的Armv9架构,基于台积电3nm制程工艺方案,针对终端设备在AI应用上的性能进行设计优化。据官方介绍,新的CPU与GPU IP是目前旗下同类产品中性能最强的一代,新CPU性能提升36%;新GPU则将图形计算性能提升37%。两款产品最终通过Arm最新推出的终端计算子系统解决方案交付给客户。
3.【阿特斯储能系统及集团总部大楼项目落户苏州高新区】“苏州发布”消息,5月29日,阿特斯储能系统及集团总部大楼项目签约落户苏州高新区。根据协议,阿特斯集团将投资约15亿元在苏州高新区新设20GWh储能系统集成项目及集团总部大楼项目。其中,储能系统集成项目规划建设8条生产线,进行电池模组生产和装配以及储能系统集成,达产后可实现年产值约150亿元。
4.【消息称SK海力士将在1c DRAM生产中采用新型Inpria MOR光刻胶】SK海力士计划在第6代(1c工艺 约10nm)DRAM的生产中使用Inpria下一代金属氧化物光刻胶(MOR),这是MOR首次应用于DRAM量产工艺。消息人士称,SK海力士量产的1c DRAM上有五个极紫外 (EUV) 层,其中一层将使用MOR绘制。他还补充说,不仅SK海力士,三星电子也将追求这类无机PR材料。
5.【斯巴鲁将逐步停止在泰国的本地组装生产】斯巴鲁透露,斯巴鲁计划逐步停止在泰国的合资企业本地组装生产(散装生产)。这种商业模式“从长远来看不被认为是可持续的”。
6.【通威THC、TNC组件双双刷新世界纪录】5月29日,通威股份光伏技术中心宣布,在2384*1303mm标准尺寸下,通威自主研发的THC210(“异质结”)高效组件最高输出功率达到765.18W,光电转换效率达到24.63%(T V南德测试);通威自主研发的TNC210高效组件最高输出功率达到743.2W,光电转换效率达到23.93%(T V莱茵测试)。通威THC、TNC组件双双刷新世界纪录。
7.【南亚科:首款1C nm制程DRAM内存产品16Gb DDR5明年初试产】DRAM大厂南亚科表示,首款1C nm制程DRAM内存产品16Gb DDR5颗粒将于明年初进入试产阶段。目前已在进行1B nm制程的DRAM试产,涵盖8/4Gb DDR4内存和16Gb DDR5内存。南亚科技表示其首批DDR5内存将在下半年少量试产,明年进一步提升产量。
欢迎订阅智能制造产业日报, 精选行业新闻,帮你省时间!👇
微信扫码关注该文公众号作者