DRAM将迎来超级周期？

AI狂潮推动记忆体需求飙升，加上过去两年记忆体厂资本支出不足，华尔街投行摩根士丹利高喊，DRAM市场正迎来前所未见的「超级周期」，标准型DRAM缺口将更胜HBM，价格也跟着水涨船高，第三季报价估季增15％。

国际大厂戮力投入高频款记忆体（HBM）消耗庞大产能，加上过去两年资本支出不足、没有新的晶圆厂扩增产能，导致标准型DRAM供应锐减。摩根士丹利（大摩）预期，标准型DRAM缺口将更胜HBM，价格将随之走扬，第三季报价估计增15％。

无独有偶，瑞银证券最新报告也与大摩看法相仿，透露国际大厂抢进HBM对标准型DRAM造成产能排挤，为DRAM市场迈向超级周期提供动力，已成外资圈共识。

HBM所需晶元容量是标准型DRAM的两倍，而现阶段HBM良率远低于标准型DRAM，也因此消耗更多产能，加上过去两年记忆体厂资本支出不足，导致新增产能有限。

大摩表示，由于HBM对标准型DRAM带来产能排挤效应持续存在，复以AI智能手机、AI PC创造出额外的产能需求，DRAM市场预计将面临更严重的供应短缺。预期2025年标准型DRAM缺口将罕见高达23％，并推升DRAM价格水涨船高。大摩更指出，随着HBM市占率攀升，整体市场供应不足将更加显著。

第三季DRAM和NAND芯片价格预估走扬，大摩大举调高涨幅为13％与20％，调升幅度超过六成。国际大厂SK海力士、三星持续拓产HBM、DRAM产能，预估第三季DRAM合约价季增约10～15％。

而随着DRAM超级周期迎面而来，报价涨幅超乎预期，可望成为南亚科、十诠、威刚等台厂的营运火种。

韩国领先的芯片制造商三星电子和 SK 海力士以及日本的 Kioxia 一直在加大 NAND 闪存芯片的产量。今年内存芯片需求反弹后，该行业的 NAND 闪存过剩局面有所缓解，因此出现了这种转变。

但除用于人工智能数据中心的高容量 NAND 外，通用产品的需求尚未恢复。专家担心 NAND 产量增加可能会限制未来价格上涨。

据日经新闻 6 月 17 日报道，日本内存芯片制造商 Kioxia 最近结束了减产，将其四日市和北上工厂的产量提高至满负荷。由于对该芯片制造商 3D NAND 的需求下降，Kioxia 在 2022 年 10 月将产量削减了 30%。Kioxia 是全球第四大 3D NAND 生产商。

NAND 闪存芯片用于智能手机和其他电子设备中存储数据，去年由于需求疲软而陷入供应过剩的困境。为了应对导致 NAND 价格暴跌的市场供过于求，三星电子、SK 海力士和 Kioxia 等主要芯片制造商都削减了产量。去年，三星电子和 SK 海力士工厂的 NAND 闪存产能一度下降至 20-30%。据报道，三星在中国西安的工厂开工率下降了 10%。西部数据和美光也削减了产量，将产能降至 50% 以下。

大规模减产在一定程度上缓解了供应过剩，导致 NAND 闪存价格上涨。需求正在复苏，尤其是用于 AI 数据中心的大容量 NAND 闪存。市场研究公司 TrendForce 预测，今年第二季度 NAND 闪存价格将同比上涨 13% 至 18%。预计今年 NAND 闪存市场收入将达到 624 亿美元，比去年增长 63%。

三星电子、SK 海力士、铠侠和西部数据占据了全球 NAND 闪存市场 80% 以上的份额，目前这些公司正在全面恢复生产。三星的 NAND 闪存产能已攀升至 70% 左右，而 SK 海力士正在加大高容量 NAND 产品（如高容量 eSSD）的生产。第三大 NAND 闪存生产商西部数据将其生产利用率提高到 90% 左右。

新韩证券分析师李京加表示：“预计今年下半年三星西安工厂的产能将上升至 80%。”

一些专家担心，产量的快速增长可能会超过需求，从而抑制 NAND 闪存价格的上涨。韩国工业经济贸易研究院研究员金养鹏表示：“除了人工智能数据中心使用的高容量 NAND，很难说整个 NAND 市场都在复苏。产量的突然激增可能会压低一直在上涨的 NAND 价格。”

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