三星成立HBM团队，部署“双轨战略”

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三星成立HBM团队，部署“双轨战略”

3月前

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三星半导体业务主管 Kyung Kye-hyun 表示：“HBM 的领导地位正在向我们袭来。”

三星于 2 月推出了 HBM3E 12H，这是业界最大容量的 12 层堆栈 HBM。

全球第一大内存芯片制造商三星电子最近在内存芯片部门内成立了高带宽内存（HBM）团队，以提高产量，同时正在开发第六代AI内存HBM4和AI加速器Mach-1 。

据业内人士3月29日透露，新团队负责DRAM和NAND闪存的开发和销售。

三星公司执行副总裁兼DRAM产品和技术主管Hwang Sang-joon将领导新团队。目前尚未决定该部门将有多少员工。

这是三星继今年 1 月推出 HBM 特别工作组后成立的第二个 HBM 专门团队，该工作组由来自其设备解决方案部门的 100 名人才组成。

三星正在加大力度颠覆其本土竞争对手SK 海力士公司 (SK Hynix Inc.)，后者是先进 HBM 领域的主导厂商。 2019年，三星认为HBM市场不会大幅增长，解散了当时的HBM团队，这是一个令人遗憾的痛苦错误。

Hwang Sang-joon，三星公司执行副总裁兼 DRAM 产品和技术负责人

双轨战略

为了抢占人工智能芯片市场的领先地位，三星将采取“双轨”战略，即同时开发两种尖端存储芯片：HBM和Mach-1。

计划于今年下半年量产HBM3E，并于2025年生产后续型号HBM4。

目前，HBM3E是人工智能应用中性能最佳的DRAM，也是第五代DRAM内存，继承了前几代产品：HBM、HBM2、HBM2E和HMB3。

“想要开发定制 HBM4 的客户将与我们合作，”三星半导体业务负责人 Kyung Kye-hyun 周五在社交媒体平台上发布的一份说明中表示。

“得益于专业团队的努力，HBM 的领导地位即将到来，”他补充道。

周二在加利福尼亚州圣何塞举行的全球芯片制造商聚会 Memcon 2024 上，三星的 Hwang 表示，他预计该公司今年的 HBM 芯片产量将比去年的产量增加 2.9 倍。

HBM是一种垂直堆叠多个DRAM的高性能存储芯片，是AI芯片处理大量数据的重要组成部分。

法国 IT 研究公司 Yole Group 表示，HBM 市场预计到 2025 年将扩大到 199 亿美元，到 2029 年将扩大到 377 亿美元，而 2024 年估计为 141 亿美元。

MACH-1

上周，Kyung 在年度股东大会上表示，Mach-1 人工智能芯片目前正在开发中，该公司计划在年底前生产原型机。

Mach-1 采用片上系统 (SoC) 的形式，可减少图形处理单元 (GPU) 和 HBM 芯片之间的瓶颈。

三星还准备开发 Mach-2，这是致力于推理的 AI 加速器 Mach-1 的下一代模型。

Kyung 在周五的报告中表示：“我们需要加快 Mach-2 的开发，客户对此表现出了浓厚的兴趣。”