PI收购Odyssey Semiconductor资产，推动用GaN挑战SiC

Power Integrations 将收购 Odyssey Semiconductor Technologies 的资产，将垂直 GaN 技术引入该公司，以对抗碳化硅 (SiC)。

该交易预计将于 7 月完成，之后 Odyssey 的所有主要员工预计将加入 Power Integrations 技术组织。

此次购买支持 Power Integrations 专有 PowiGaN 技术的持续开发路线图，以实现更高的电流水平以取代 SiC。目前该公司的许多产品系列均采用 GaN，包括 InnoSwitch IC、HiperPFS-5 功率因数校正 IC 以及最近推出的 InnoMux-2 系列单级多输出 IC。该公司将于 2023 年推出 900 伏和 1250 伏版本的 PowiGaN 技术和产品。

Power Integrations 技术副总裁 Radu Barsan 博士表示：“自 2018 年我们开始交付采用 PowiGaN 技术的产品以来，Power Integrations 一直处于 GaN 开发和商业化的前沿。”

“我们正在执行一项雄心勃勃的路线图，其中包括推动与硅 MOSFET 的成本平价，以及扩展 PowiGaN 的电压和功率能力。我们的目标是将经济高效的高电流和高电压 GaN 技术商业化，以支持目前由碳化硅 (SiC) 提供的更高功率应用，凭借 GaN 的基本材料优势，以更低的成本和更高的性能实现这一目标 Odyssey 团队在高电流垂直 GaN 方面的经验将增强并加速这些努力，我们很高兴将他们加入我们的团队。”

“我和 Odyssey 团队很高兴能加入 Power Integrations 来加速他们的 GaN 技术路线图。作为第一家将高压 GaN 商业化的公司，Power Integrations 在成本、电压和电流方面以及充分利用高压 GaN 功能的系统级产品设计方面继续引领行业发展。”Odyssey 联合创始人兼首席执行官 Richard Brown 博士说道。

在今年三月，垂直GaN先驱Odyssey Semiconductor技术公司已同意以952万美元出售其资产，然后清盘。

Odyssey 在纽约州运营着一家占地 10,000 平方英尺的半导体晶圆制造工厂，配备 1,000 级和 10,000 级洁净空间以及用于先进半导体开发和生产的工具。它一直在努力推出工作电压为650V和1200V的垂直GaN FET晶体管。

按照当时报道，买家被描述为一家大型半导体公司，但在 20 个日历日的“采购”期间，该公司的名称被保密。

“我们很高兴找到了一个强大的买家。我们也很高兴能够有机会在 20 个日历日内购买此购买机会，以确保尽可能多的感兴趣的各方能够准确评估我们的技术和资产此时的潜在价值。”奥德赛首席执行官布朗在一份声明中表示。

此次资产出售已获得奥德赛董事会的批准，预计将于 2024 年第三季度初完成，但须满足惯例成交条件，包括奥德赛股东的批准。

偿还贷款和交易费用后，公司预计将与 1,450 万股股东分享约 130 万美元。该交易预计将于 7 月 1 日左右完成，但不迟于 2024 年 7 月 10 日，该公司最早将于 2024 年底清盘。

2023年，该公司净亏损447万美元，销售收入29.19万美元。相比之下，2022 年销售收入为 321,049 美元，净亏损 569 万美元。

Odyssey Semiconductor Technologies 正在美国制造工作电压为 650V 和 1200V 的垂直氮化镓 (GaN) FET 晶体管样品。

该公司表示，垂直结构将为 650 伏和 1200 伏器件提供更低的导通电阻和更高的品质因数，其导通电阻仅为碳化硅 (SiC) 的十分之一，并且工作频率显着提高。

该公司在2022耐能表示，已获得三个客户的承诺来评估这些第一代产品样品。它正在考虑进一步让客户参与产品样品。

Odyssey 首席执行官 Mark Davidson 表示：“Odyssey 实现 1200 伏垂直 GaN 功率器件这一里程碑的重要性怎么强调都不为过。” “我们正在从工艺和材料研发转向提供横向 GaN 实际上无法达到的电压产品，同时具有硅和碳化硅无法达到的经济性。对于相同的应用，我们的垂直 GaN 产品将提供高功率转换效率，其体积比碳化硅晶体管小近 10 倍。”

“我们不仅仅是制造测试结构。我们正在构建客户需要的产品样品。随着客户充分了解奥德赛功率器件的功能，Odyssey继续履行新的产品样品承诺。该公司拥有独特的专业知识和知识产权组合来保护它。凭借我们位于纽约伊萨卡的自己的晶圆厂，我们可以快速创新并控制向客户提供产品的能力，”他说。

Odyssey 表示，其垂直 GaN 方法将提供硅、碳化硅和横向 GaN 无法提供的更大改进。650 伏是当今更大的市场，预计将以 20% 的复合年增长率增长。1200伏产品细分市场预计将以63%的复合年增长率更快增长，并将在本十年后半段成为更大的市场。

据收集市场统计数据的法国公司 Yole 称，650 伏和 1200 伏功率器件市场预计到 2027 年将增长至约 50 亿美元，复合年增长率为 40%。

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