台积电美国两家新厂再度宣布推迟，最快2027年投产

台积电宣布，位于亚利桑那州、规模400亿美元的设厂计划再度推迟，最快2027年才能投产。这进一步打击了拜登政府提高关键零组件在美国本土生产比例的雄心。

香港中通社报道，台积电在亚利桑那州的第二座芯片厂将于2027年或2028年开始运作，比公司原先预计的2026年还要迟。由于缺乏技术熟练的工人且成本提高，台积电去年7月已宣布第一座工厂工期延后，现预计要到2025年才能开始生产4纳米制程芯片。

此前台积电表示，将在亚利桑那州二厂生产更为先进的3纳米制程芯片。但在18日的法人说明会上，台积电强调，美国政府的激励措施将决定制程技术的先进程度。这番说法为该投资计划的最终结果带来不确定性。

台积电董事长刘德音说，公司正持续与美国政府讨论激励措施和税收减免等，他重申台积电在亚利桑那州招聘方面所面临的挑战，公司正为此持续与当地工会沟通。

台积电第二座芯片厂可能因此推迟长达两年，而两年时间足以让半导体技术升级换代。

总统拜登签署通过“芯片与科学法案”已超过一年。这项法案旨在为在美投资设厂的半导体制造商提供数以百亿美元的补贴。不过，联邦政府迄今未向台积电或英特尔等芯片巨头发放任何补贴。

相较之下，台积电宣布计划在日本兴建一家规模较小的工厂后，目前已获得日本政府的资金。据悉，这座工厂有望在今年稍晚投入生产。