这类芯片，引领半导体复苏

11月前

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2024年预计岛内外半导体业景气将可摆脱2023年衰退的态势，而在年初之际，部分产品尚处于库存调整的尾声，预计此些类别的景气要到2024年下半年才可望明显反弹，但目前可确定记忆体包括DRAM、NAND Flash、NOR Flash将成为2024年首波复苏的半导体产品，特别是2023年第四季DRAM价格相对持稳，2024年涨价的焦点也将从NAND Flash扩散DRAM，例如DDR4、DDR5等；也就是当前记忆体市场已逐部摆脱周期底部的阶段，且随着供需关系获得改善，产品报价也开始筑底向上。

特别是记忆体占全球半导体业达20％，可视为半导体业风向标，在其景气回温释放一定复苏信号，加上AI商机及其他科技商机催化消费电子新需求，显见2024年记忆体市况的基本面将逐步改善；甚至中期来看，生成式AI市场迅速扩张，更可望带动对于内含记忆体含量与价值的成长空间，长期来说，我国记忆体厂随着商业务多元化布局、产品结构持续升级，仍可望扮演全球市场中少数的关键。

厂商减产、需求扩大，涨价有底气

以DRAM来说，虽然2023年年末时序正值欧美假期，DRAM交易动能趋于平淡，但因库存水位已明显降低，且客户端的备料及买卖意愿增加，以及市场对于记忆体业2024年的共识为价格将持续上涨，故现货端仍有零星购货，部分料号价格小幅上涨，况且国际DRAM制造大厂对于供给端的释出相对谨慎，仍处于减产的阶段，故根据TrendForce集邦科技的预测资料可知，2024年第一季MobileDRAM季涨幅有望达18～23％，甚至不排除在寡头市场格局或是品牌客户恐慌追价的情况下，进一步垫高涨幅。

整体而言，有鉴于2023年以来迄今岛内外DRAM大厂相继减产终于让芯片价格止跌，甚至又有来自于AI商机及先进电脑运算需求持续扩大，更增加业者酝酿涨价的底气，故三星（Samsung）及美光（Micron）已规划在2024年第一季将DRAM芯片价格调涨15～20％，显然DRAM厂商持续藉由调整产线配置并扩大先进制程比重来维护获利，因此市场普遍认为2024年第一季各大厂仍将继续严格控制DRAM产能，进而激励价格回升。

以NAND Flash而言，2024年第一季NAND Flash（eMMC/UFS）季涨幅有机会介于18％～23％，主要是随着供需结构已经过一番调整，加上行业库存落底，以及原厂减产效应作用，也由于智慧手机对于NAND Flash需求有所支撑，故全球该项记忆体的价格将延续先前2023年下半年的涨势。值得留意的是，为了维持该项产业的正向发展，国际大厂透过价格上涨来达成获利改善，将是各家NAND制造业者不得不采取的策略，宁愿短期先放下市占率的抢夺，显然逐步推高价格将势在必行。

AI热潮带动HBM商机大爆发

事实上，观察此波记忆体市场的商机，可尤其关注AI所带来高频宽记忆体（HBM）产品的成长潜力，毕竟储存能力已成AI芯片性能升级的核心瓶颈，特别是HBM作为基于3D堆叠技术的高性能DRAM，等同打破记忆体频宽及功耗瓶颈，显然GPU性能的提升将不断推动HBM技术升级，在此情况下，全球HBM市场规模将有机会从2023年的15亿美元增至2030年的576亿美元，等同此段时间的年复合成长率将达到68.3％。而有鉴于HBM量价齐升的商机浮现，全球三大DRAM厂商积极扩产，其中SK Hynix将于2024年扩产2倍，并导入10奈米技术，而三星、美光紧随其后，同样宣布大规模扩产，况且三大厂商也将积极让HBM2进化到HBM3e、HBM4等，借此让HBM产品可持续升级来成为AI芯片算力提升的关键。

至于岛内记忆体厂商，受惠于此波全球记忆体价格回升的大环境，加上台厂也在技术持续推进，例如南亚科自主开发DRAM10奈米制程将进入第二世代，预计2024年第二季开始验证DDR4、DDR5产品，同时公司也持续设计LP DDR4跟LP DDR5产品，此将使得2024年岛内记忆体业者营运绩效将优于2023年。

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